Samsung · 5 566 товаров

Накопитель SSD Samsung 2TB NVMe M.2 2280 990 PRO PCIe Gen 4.0 x4, NVMe (MZ-V9P2T0BW)

Name: Накопитель SSD Samsung 2TB NVMe M.2 2280 990 PRO PCIe Gen 4.0 x4, NVMe (MZ-V9P2T0BW)
Brand: Samsung
SKU: 102206599339
Price: 27933.00 RUB

27 933 ₽

Ориентировочная цена. Актуальные цены и наличие у продавцов — по кнопке ниже.

Найти дешевле на Маркете

Емкость: 2 ТБ
Тип флэш-памяти: V-NAND 3-bit MLC
Контроллер: Samsung
Назначение: для настольного компьютера, для ноутбука, для сервера, сетевой накопитель (NAS)
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI-E 4.0

Категория: Внутренние твердотельные накопители (SSD) Все товары Samsung Характеристики

Цена в категории «Внутренние твердотельные накопители (SSD)»

Цена 27 933 ₽ при средней по категории 5 125 ₽. Похожие товары дешевле — в подборке ниже и в каталоге категории.

30%40%30%

от 211 ₽средняя 5 125 ₽до 56 726 ₽

27 933 ₽этот товар

5 125 ₽средняя цена

211 ₽самая низкая

1 867товаров в категории

Популярные бренды в категории: ADATA, Netac, Samsung, Kingston, KingSpec, Patriot Memory, Apacer, Western Digital

Цена в линейке Samsung

У Samsung в каталоге 5 566 товаров с ценами от 39 ₽ до 434 949 ₽. Эта модель за 27 933 ₽ — в верхней части диапазона цен бренда.

от 39 ₽до 434 949 ₽

Все товары Samsung

Чем отличается от похожих

Сравнили характеристики с 12 соседними товарами категории «Внутренние твердотельные накопители (SSD)». Редкие у них параметры этой модели:

Емкость	2 ТБ нет у похожих
Форм-фактор	M.2 нет у похожих
Интерфейс	PCI-E 4.0 нет у похожих
Объем буфера	2000 МБ нет у похожих
Суммарное число записываемых байтов (TBW)	1200 ТБ нет у похожих
Потребляемая мощность	5.5 Вт нет у похожих

Описание

Тип памяти 3D TLC обеспечивает высокую скорость и длительный срок службы. Эффективная организация пространства на чипе позволяет создать SSD с большой емкостью в компактном формате. Накопитель объемом 2 ТБ обеспечивает массу пространства для тяжелых проектов и возможность для гейминга на высокой скорости. Интерфейс PCIe 4.0 x4 предлагает непревзойденную скорость и пропускную способность, позволяя пользователям достигать впечатляющих результатов в играх и производственных задачах. Поддержка NVMe позволяет существенно ускорить загрузку операционной системы и приложений, обеспечить быстрое копирование файлов и улучшить общую отзывчивость системы. NVMe предлагает возможность оптимизированного хранения, что важно для работы с базами данных, виртуализацией и другими ресурсозатратными приложениями. TRIM помогает управлять свободным пространством и увеличивает срок службы накопителя. DRAM буфер обеспечивает дополнительную производительность за счет кэширования данных.

Характеристики

Емкость	2 ТБ
Тип флэш-памяти	V-NAND 3-bit MLC
Контроллер	Samsung
Назначение	для настольного компьютера, для ноутбука, для сервера, сетевой накопитель (NAS)
Форм-фактор	M.2
Интерфейс	PCI-E 4.0
Cтандарт SSD	M.2
Тип разъема M.2	2280, M
Тип PCI-E	PCI-E 4.0 x4
Макс. скорость интерфейса	7450 МБ/с
Объем буфера	2000 МБ
Скорость чтения	7450 МБ/с
Скорость записи	6900 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)	1550000 IOPS
Ударостойкость при работе	1500 G
Ударостойкость при хранении	1500 G
Время наработки на отказ	1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW)	1200 ТБ
Поддержка технологий	NVMe, TRIM, поддержка секторов размером 4 КБ
Макс. рабочая температура	70 °C
Потребляемая мощность	5.5 Вт
Высота	2 мм
Длина	22 мм
Ширина	80 мм
Вес	9 г
Дополнительная информация	маскимальная потребляемая мощность в режиме Burst: 8,5 Вт
Гарантийный срок	12 мес.